YJB200G06B دیتاشیت

YANGJIE YJB200G06B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJB200G06B
حجم فایل 71.724 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJB200G06B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJB200G06B
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 260W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 65nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.165nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 200A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 59pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه